隨著 ChatGPT 等人工智能應用的爆發式增長，全球對算力的需求正以指數級態勢攀升。然而，人工智能的發展不僅依賴于性能強勁的計算芯片，更離不開高性能內存的協同配合。傳統內存已難以滿足 AI 芯片對數據傳輸速度的要求，而高帶寬內存（HBM）憑借創新的堆疊設計，成功攻克了帶寬瓶頸、功耗過高以及容量限制這三大關鍵難題，為 AI 應用的高效運行提供了重要支撐。但如今，傳統 HBM 已經受限，3D DRAM 能夠提供更高帶寬。同時還能進一步優化功耗表現，全球的存儲廠商也普遍將 3D
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3D DRAM
汽車行業正在經歷重大變革，因為它采用自動駕駛技術和超互聯生態系統等創新。這一變化的核心是對緊湊型、高性能半導體解決方案的需求不斷增長，這些解決方案能夠應對日益復雜的現代汽車架構。一項有前途的發展是三維集成電路 （3D-IC），這是一種創新的半導體設計方法，有可能重塑汽車市場。通過垂直堆疊多個芯片，3D-IC 提供卓越的性能、帶寬和能源效率，同時克服車輛系統的關鍵空間和熱限制。然而，盡管 3D-IC 具有潛力，但其設計和實施仍面臨重大挑戰。這就是人工智能驅動的電子設計自動化 （EDA） 工具發揮至關重要作用
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汽車應用 3D-IC 人工智能 EDA工具
全球存儲解決方案領導者鎧俠宣布，其采用第九代?BiCS FLASH??3D?閃存技術的?512Gb TLC存儲器已開始送樣（1）。該產品計劃于?2025?年投入量產，旨在為中低容量存儲市場提供兼具卓越性能與能效的解決方案。此外，這款產品也將集成到鎧俠的企業級固態硬盤中，特別是需要提升?AI?系統?GPU?性能的應用。為應對尖端應用市場的多樣化需求，同時提供兼具投資效益與競爭力的產品，鎧俠將繼續推行“雙軌并行
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鎧俠 3D 閃存 TLC存儲器 閃存 3D閃存
一年前，Semiconductor Engineering 舉辦了第一次圓桌會議，以了解小芯片行業的真實狀況。在那次活動中，有人表示，沒有小芯片在最初不打算的設計中重復使用過。過去一年發生了多大變化？去年回歸的有 Marvell 技術副總裁 Mark Kuemerle;Alphawave Semi 產品營銷和管理副總裁 Letizia Giuliano;是德科技 HSD 部門負責人 Hee-Soo Lee;Cadence 計算解決方案事業部高級產品組總監 Mick Posner;以及新
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小芯片 Chiplet
專家出席會議：半導體工程與 Marvell 技術副總裁 Mark Kuemerle 坐下來討論小芯片設計的進展和剩余挑戰;Alphawave Semi 產品營銷和管理副總裁 Letizia Giuliano;是德科技 HSD 部門負責人 Hee-Soo Lee;Cadence 計算解決方案事業部高級產品組總監 Mick Posner;以及新思科技多芯片戰略解決方案集團的產品管理總監 Rob Kruger。以下是今年設計自動化會議上舉行的圓桌討論的摘錄。此討論的第一部分可以在這里找到。S
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Chiplet 生態系統
從5月29日美國政府頒布對華EDA禁令到7月2日宣布解除，33天時間里中美之間的博弈從未停止，但對于EDA公司來說，左右不了的是政治禁令，真正贏得客戶的還是要靠自身產品的實力。作為芯片設計最前沿的工具，EDA廠商需要深刻理解并精準把握未來芯片設計的關鍵。?人工智能正在滲透到整個半導體生態系統中，迫使 AI 芯片、用于創建它們的設計工具以及用于確保它們可靠工作的方法發生根本性的變化。這是一場全球性的競賽，將在未來十年內重新定義幾乎每個領域。在過去幾個月美國四家EDA公司的高管聚焦了三大趨勢，這些趨
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EDA 3D IC 數字孿生
●? ?全新?Innovator3D IC?套件憑借算力、性能、合規性及數據完整性分析能力，幫助加速設計流程●? ?Calibre 3DStress?可在設計流程的各個階段對芯片封裝交互作用進行早期分析與仿真西門子數字化工業軟件日前宣布為其電子設計自動化?(EDA)?產品組合新增兩大解決方案，助力半導體設計團隊攻克?2.5D/3D?集成電路?(IC)?設計與制造的復雜挑戰。西門
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西門子EDA 3D IC
來自日本東京科學研究所 （Science Tokyo） 的一組研究人員構思了一種名為 BBCube 的創新 2.5D/3D 芯片集成方法。傳統的系統級封裝 （SiP） 方法，即使用焊料凸塊將半導體芯片排列在二維平面 （2D） 中，具有與尺寸相關的限制，因此需要開發新型芯片集成技術。對于高性能計算，研究人員通過采用 3D 堆棧計算架構開發了一種新穎的電源技術，該架構由直接放置在動態隨機存取存儲器堆棧上方的處理單元組成，標志著 3D 芯片封裝的重大進步。為了實現 BBCube，研究人員開發了涉及精確和高速粘合
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2.5D/3D 芯片技術 半導體封裝
存儲設備研發公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發布。Neo 表示，它已經開發了一個晶體管、一個電容器 （1T1C） 和三個晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預測該技術能夠實現 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時間，芯片容量高達 512Gbit。這些設計的測試芯片預計將于 2026 年推出
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Neo Semiconductor IGZO 3D DRAM
中國的研究人員開發了一種開創性的方法，可以為射頻傳感器構建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結構。該技術以 1：4 的寬高比實現了深溝槽，同時還實現了對共振特性的精確控制并顯著提高了性能。這種混合技術不僅提高了 RF 超結構的品質因數 （Q 因子） 和頻率可調性，而且還將器件占用空間減少了多達 45%。這為傳感、MEMS 和 RF 超材料領域的下一代應用鋪平了道路。電子束光刻和納米壓印等傳統光刻技術難以滿足對超精細、高縱橫比結構的需求。厚度控制不佳、側壁不均勻和材料限制限制了性能和可擴展性。該技術
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3D 射頻傳感器
英特爾 Arrow Lake 架構的模具照片已經發布，展示了英特爾注入小芯片（tile）的設計的所有榮耀。X 上的 Andreas Schiling 分享了幾張 Arrow Lake 的近距離圖片，揭示了 Arrow Lake 各個圖塊的布局和計算圖塊內內核的布局。第一張照片展示了英特爾臺式機酷睿 Ultra 200S 系列 CPU 的完整芯片，計算圖塊位于左上角，IO 圖塊位于底部，SoC 圖塊和 GPU 圖塊位于右側。左下角和右上角是兩個填充模具，旨在提供結構剛度。計算芯片在 TS
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Arrow Lake Die Shot Intel chiplet
Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創新，該公司聲稱該創新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高帶寬內存）用于 AI 推理應用。當 Sandisk 于 2025 年 2 月從數據存儲公司 Western Digital 分拆出來時，該公司表示，它打算在提供閃存產品的同時追求新興顛覆性內存技術的開發。在 2 月 11 日舉行的 Sandisk 投資者日上，即分拆前不久，即將上任的內存技術高級副總裁 Alper Ilkbahar 介紹了高帶寬閃存以及他稱之為 3D 矩陣內存的東西。在同
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Sandisk 3D-NAND
英特爾最新展示的第二代軟件定義汽車片上系統 （SoC） 器件預示著英特爾在使用小芯片方面邁出了關鍵一步。據分析，這其中部分技術參考借鑒了英特爾收購 Silicon Mobility后在汽車小芯片方面的技術。一年前英特爾承諾為 SDV 提供業界首個基于 UCIe 的開放式小芯片平臺。英特爾將與 imec 合作，確保汽車封裝技術，并致力于成為第一家支持將第三方小芯片集成到其汽車產品中的汽車供應商。該 SoC 在上海 2025 車展上推出，結合了基于不同工藝技術構建的小芯片，為用戶界面提供大型語言模型 AI 支
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